MRFX1K80HR5 - NXP

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

MRFX1K80HR5
Производитель

NXP
Чип воркер Часть №

CW46599536
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

NI-1230-4H
Описание

Trans RF MOSFET N-CH 179V 5Pin NI-1230H T/R
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

MRFX1K80HR5 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

MRFX1K80HR5 Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	MRFX1K80HR5
Производитель	NXP
Чип воркер Часть №	CW46599536
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Количество Выводов	5 Pin
Корпус/Пакет	NI-1230-4H
Частота	1.8MHz ~ 470MHz
Количество Стежков	4 Position
Рассеяние Мощности	2.247 kW
Напряжение Сток-исток (Vds)	193 V
Выходная Мощность	1800 W
Усиление	24 dB
Испытательный ток	200 mA
Входная емкость (Ciss)	760pF @65V(Vds)
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2247000 mW
Уровень напряжения	182 V
	Развернуть все
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free

MRFX1K80HR5 Описание продукта

Overview
The MRFX1K80H is the first device based on NXP"s new 65 V LDMOS technology that focuses on ease of use. This high ruggedness transistor is designed for use in high VSWR industrial, scientific and medical applications, as well as radio and VHF TV broadcast, sub-GHz aerospace and mobile radio applications. Its unmatched input and output design allows for wide frequency range use from 1.8 to 400 MHz.
The MRFX1K80H is pin-compatible (same PCB) with its plastic version MRFX1K80N, with MRFE6VP61K25H and MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), and with MRF1K50H and MRF1K50N (1500 W @ 50 V).
For additional information contact NXP Semiconductor.
MoreLess
## Features
* Based on new 65 V LDMOS technology, designed for ease of use
* Characterized from 30 to 65 V for extended power range
* Unmatched input and output
* High breakdown voltage for enhanced reliability and higher efficiency architectures
* High drain-source avalanche energy absorption capability
* High ruggedness. Handles 65:1 VSWR.
* RoHS compliant
* Lower thermal resistance option in over-molded plastic package: MRFX1K80N
* Included in our product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
**Typical Applications**
* Industrial, scientific, medical (ISM)
* Laser generation
* Plasma generation
* Particle accelerators
* MRI, RF ablation and skin treatment
* Industrial heating, welding and drying systems
* Radio and VHF TV broadcast
* Aerospace
* VHF omnidirectional range (VOR)
* HF communications
* Weather radar
## Features RF Performance Tables
### Typical Performance
**Frequency
(MHz)* | **Signal Type** | **VDD
(V)* | **Pout
(W)* | **Gps
(dB)* | **ηD
(%)*
\---|---|---|---|---|---
27 (1)| CW| 65| 1800 CW| 27.8| 75.6
64| Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)| 65| 1800 Peak| 27.1| 69.5
81.36| CW| 63| 1700 CW| 24.5| 76.3
87.5-108 (2,3)| CW| 60| 1600 CW| 23.6| 82.5
123/128| Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)| 65| 1800 Peak| 25.9| 69.0
144| CW| 65| 1800 CW| 23.5| 78.0
230 (4)| Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)| 65| 1800 Peak| 25.1| 75.1
325| Pulse (12 µsec, 10% Duty Cycle)| 63| 1700 Peak| 22.8| 64.9
### Load Mismatch/Ruggedness
**Frequency
(MHz)* | **Signal Type** | **VSWR** | **Pin
(W)* | **Test Voltage** | **Result**
\---|---|---|---|---|---
230 (4) | Pulse
(100 µsec, 20% Duty Cycle) | > 65:1 at all Phase Angles | 14 W Peak
(3 dB Overdrive) | 65 | No Device Degradation
1\\. Data from 27 MHz narrowband reference circuit.
2\\. Data from 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
3\\. The values shown are the center band performance numbers across the indicated frequency range.
4\\. Data from 230 MHz narrowband production test fixture.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности