IXFP10N60P - IXYS Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IXFP10N60P
Производитель

IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW62376526
Категория

Высоковольтное MOS
Упаковка

TO-220-3
Описание

IXYS SEMICONDUCTOR IXFP10N60P Power MOSFET, N Channel, 10A, 600V, 740mohm, 10V, 5.5V
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IXFP10N60P Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IXFP10N60P Высоковольтное MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IXFP10N60P
Производитель	IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW62376526
Категория	Высоковольтное MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	10.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.74 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	200 W
Пороговое Напряжение	5.5 V
Входная Ёмкость	1.61 nF
Заряд Затвора	32.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	10.0 A
Время Нарастания	27 ns
Обратное время восстановления	200 ns
Входная емкость (Ciss)	1610pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	200 W
Время падения	21 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200000 mW
	Развернуть все
Длина	10.66 mm
Ширина	4.83 mm
Высота	9.15 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15

IXFP10N60P Описание продукта

The IXFP10N60P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
International standard package
Unclamped inductive switching (UIS) rated
Low package inductance
Easy to mount
Space savings
High power density

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности