IXFN24N100 - IXYS Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IXFN24N100
Производитель

IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW11528050
Категория

Труба MOS
Упаковка

SOT-227-4
Описание

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN24N100 Power MOSFET, N Channel, 24A, 1kV, 390mohm, 10V, 5.5V
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IXFN24N100 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IXFN24N100 Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IXFN24N100
Производитель	IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW11528050
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Screw
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Номинальное Напряжение (DC)	1.00 kV
Номинальный Ток	24.0 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.39 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	600 W
Пороговое Напряжение	5.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1 kV
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	1000 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	24.0 A
Время Нарастания	35 ns
Напряжение Изоляции	2.50 kV
Входная емкость (Ciss)	8700pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	568 W
Время падения	21 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	568000 mW
	Развернуть все
Длина	38.23 mm
Ширина	25.42 mm
Высота	9.6 mm
Материал	Silicon
Вес	40.0 g
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15

IXFN24N100 Описание продукта

The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
International standard package
miniBLOC with aluminium nitride isolation
UL94V-0 Flammability rating
Low RDS (ON) HDMOS™ process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance
Easy to mount
Space savings
High power density

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности