ZTX853 - Diodes

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

ZTX853
Производитель

Diodes
Чип воркер Часть №

CW10308040
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

E-Line-3
Описание

Trans GP BJT NPN 100V 4A 1200mW Automotive 3Pin E-Line
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

ZTX853 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

ZTX853 Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	ZTX853
Производитель	Diodes
Чип воркер Часть №	CW10308040
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	E-Line-3
Частота	130 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	100 V
Номинальный Ток	4.00 A
Номинальная Мощность	1.2 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	1.2 W
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	130 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	100 V
Непрерывный ток коллектора	4A
hFE Min	100 @2A, 2V
Максимальная входная мощность	1.2 W
Усиление постоянного тока (hFE)	200
Рабочая температура (Макс)	200 ℃
Рабочая температура (мин)	55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1200 mW
	Развернуть все
Длина	4.77 mm
Ширина	2.41 mm
Высота	4.01 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 200℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Bulk
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99

ZTX853 Описание продукта

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the NPN ZTX853 BJT, developed by Diodes Zetex, is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1200 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 100 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности