STW11NM80 - ST Microelectronics

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

STW11NM80
Производитель

ST Microelectronics
Чип воркер Часть №

CW9397934
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-247-3
Описание

TO-247 N-CH 800V 11A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

STW11NM80 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

STW11NM80 Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	STW11NM80
Производитель	ST Microelectronics
Чип воркер Часть №	CW9397934
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	800 V
Номинальный Ток	11.0 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.35 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	150 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	800 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	800 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	5.50 A
Время Нарастания	17 ns
Входная емкость (Ciss)	1630pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	150 W
Время падения	15 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	150W (Tc)
	Развернуть все
Длина	15.75 mm
Ширина	5.15 mm
Высота	20.15 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
ECCN кодекс	EAR99

STW11NM80 Описание продукта

The STW11NM80 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics" revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company"s PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST"s proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
Low gate input resistance
Best RDS (ON) Qg in the industry

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности