STV300NH02L - ST Microelectronics

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

STV300NH02L
Производитель

ST Microelectronics
Чип воркер Часть №

CW14104263
Категория

Труба MOS
Упаковка

PowerSO-10
Описание

STMICROELECTRONICS STV300NH02L MOSFET Transistor, N Channel, 280A, 24V, 0.0008Ω, 10V, 1.5V
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

STV300NH02L Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

STV300NH02L Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	STV300NH02L
Производитель	ST Microelectronics
Чип воркер Часть №	CW14104263
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	10 Pin
Корпус/Пакет	PowerSO-10
Количество Стежков	10 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	300 W
Пороговое Напряжение	1.5 V
Входная Ёмкость	7055 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	24 V
Время Нарастания	275 ns
Входная емкость (Ciss)	7055pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	300 W
Время падения	94.4 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300W (Tc)
	Развернуть все
Длина	9.6 mm
Ширина	9.5 mm
Высота	3.75 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17

STV300NH02L Описание продукта

The STV300NH02L is a STripFET™ III N-channel enhancement-mode Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The process decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and low gate charge.
RDS (ON) x Qg industry benchmark
Conduction losses reduced
Low profile, very low parasitic inductance
Switching losses reduced
-55 to 175°C Operating junction temperature range

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности