STS8C5H30L - ST Microelectronics

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

STS8C5H30L
Производитель

ST Microelectronics
Чип воркер Часть №

CW3678066
Категория

Труба MOS
Упаковка

SOIC-8
Описание

SO N+P 30V 8A/5.4A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

STS8C5H30L Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

STS8C5H30L Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	STS8C5H30L
Производитель	ST Microelectronics
Чип воркер Часть №	CW3678066
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальный Ток	8.00 A
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.018 Ω
Полярность	N-Channel, P-Channel
Рассеяние Мощности	1.6 W
Пороговое Напряжение	1.6 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30.0 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±16.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	8.00 A, 4.20 A
Время Нарастания	35.0 ns
Входная емкость (Ciss)	857pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2000 mW
	Развернуть все
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.65 mm
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99

STS8C5H30L Описание продукта

The STS8C5H30L is a N/P-channel Power MOSFET for switching applications. This device is a complementary N-channel and P-channel Power MOSFET developed using STripFET™ II (P-channel) and STripFET™ V (N-channel) technologies. The resulting transistors show extremely high packing density for low ON-resistance and rugged avalanche characteristics.
Conduction losses reduced
Switching losses reduced
Low threshold drive
Standard outline for easy automated surface-mount assembly

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности