STPSC806D - ST Microelectronics

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

STPSC806D
Производитель

ST Microelectronics
Чип воркер Часть №

CW4163035
Категория

Диоды Шоттки
Упаковка

TO-220-2
Описание

STMICROELECTRONICS STPSC806D Silicon Carbide Schottky Diode, SIC, 600V Series, Single, 600V, 8A, 10NC, TO-220AC
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

STPSC806D Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

STPSC806D Диоды Шоттки характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	STPSC806D
Производитель	ST Microelectronics
Чип воркер Часть №	CW4163035
Категория	Диоды Шоттки
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-2
Напряжение в Прямом Направлении	1.7V @8A
Тепловое Сопротивление	2.4℃/W (RθJC)
Обратное время восстановления	0 ns
Прямой ток	8 A
Максимальный ток перенапряжения (Ifsm)	120 A
Максимальное прямое напряжение (Макс)	2.1 V
Прямой ток (макс)	8 A
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-40 ℃
Температура соединения (Макс)	175 ℃
	Развернуть все
Длина	10.4 mm
Ширина	4.6 mm
Высота	15.75 mm
Рабочая Температура	-40℃ ~ 175℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99

STPSC806D Описание продукта

The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.
**Key Features**
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Particularly suitable in PFC boost diode function

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности