STP10NK60Z - ST Microelectronics

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

STP10NK60Z
Производитель

ST Microelectronics
Чип воркер Часть №

CW8872696
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-220-3
Описание

N-CHANNEL 600V - 0.65Ω - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOSFET
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

STP10NK60Z Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

STP10NK60Z Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	STP10NK60Z
Производитель	ST Microelectronics
Чип воркер Часть №	CW8872696
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	10.0 A
Номинальная Мощность	115 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.75 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	115 W
Пороговое Напряжение	3.75 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	10.0 A
Время Нарастания	20 ns
Входная емкость (Ciss)	1370pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	115 W
Время падения	30 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	115000 mW
	Развернуть все
Длина	10.4 mm
Ширина	4.6 mm
Высота	9.15 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
ECCN кодекс	EAR99

STP10NK60Z Описание продукта

The STP10NK60Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics" SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST"s well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
Extremely high dV/dt capability

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности