STGE200NB60S - ST Microelectronics

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

STGE200NB60S
Производитель

ST Microelectronics
Чип воркер Часть №

CW10260444
Категория

Транзистор IGBT
Упаковка

SOT-227-4
Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 600000mW 4Pin ISOTOP Tube
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

STGE200NB60S Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

STGE200NB60S Транзистор IGBT характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	STGE200NB60S
Производитель	ST Microelectronics
Чип воркер Часть №	CW10260444
Категория	Транзистор IGBT
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Screw
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Номинальное Напряжение (DC)	600 V
Номинальный Ток	150 A
Номинальная Мощность	600 W
Количество Стежков	4 Position
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	600 W
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	200 A
Время Нарастания	112 ns
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	600 V
Входная емкость (Cies)	1.56nF @25V
Максимальная входная мощность	600 W
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	600000 mW
	Развернуть все
Длина	38.2 mm
Ширина	25.5 mm
Высота	9.1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99

STGE200NB60S Описание продукта

The STGE200NB60S is a N-channel low drop PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix S identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (at maximum frequency of 1kHz).
High input impedance (voltage driven)
Low on-voltage drop (Vcesat)
Off losses include tail current
Low gate charge
High current capability

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности