SMUN5313DW1T1G - ON Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

SMUN5313DW1T1G
Производитель

ON Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW41269481
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

SOT-363-6
Описание

SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

SMUN5313DW1T1G Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

SMUN5313DW1T1G Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	SMUN5313DW1T1G
Производитель	ON Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW41269481
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	SOT-363-6
Количество Каналов	2 Channel
Полярность	NPN+PNP
Рассеяние Мощности	0.385 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	50 V
Непрерывный ток коллектора	100mA
hFE Min	80 @5mA, 10V
Максимальная входная мощность	187 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	385 mW
	Развернуть все
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99

SMUN5313DW1T1G Описание продукта

Apply the applications of a traditional bi polar junction transistor, in digital circuits with this npn and PNP SMUN5313DW1T1G digital transistor from ON Semiconductor, ideal for any digital signal processing circuit! This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 385 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности