SMUN5311DW1T1G - ON Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

SMUN5311DW1T1G
Производитель

ON Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW13767626
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

SC-70-6
Описание

SC-88 NPN+PNP 50V 100mA
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

SMUN5311DW1T1G Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

SMUN5311DW1T1G Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	SMUN5311DW1T1G
Производитель	ON Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW13767626
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	6 Pin
Корпус/Пакет	SC-70-6
Безгалогеновый Статус	Halogen Free
Полярность	NPN+PNP
Рассеяние Мощности	0.385 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	50 V
Непрерывный ток коллектора	100mA
hFE Min	35 @5mA, 10V
Максимальная входная мощность	250 mW
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	385 mW
	Развернуть все
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17
ECCN кодекс	EAR99

SMUN5311DW1T1G Описание продукта

In contrast to traditional transistors, ON Semiconductor"s npn and PNP SMUN5311DW1T1G digital transistor"s can be used in a wide variety of digital signal processing circuits. This product"s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 35@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@0.3mA@10mA V. Its maximum power dissipation is 385 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It is made in a dual configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности