IXFN36N100 - IXYS Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IXFN36N100
Производитель

IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW30261830
Категория

Высоковольтное MOS
Упаковка

SOT-227-4
Описание

SOT-227B N-CH 1000V 36A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IXFN36N100 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IXFN36N100 Высоковольтное MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IXFN36N100
Производитель	IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW30261830
Категория	Высоковольтное MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Screw
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Номинальное Напряжение (DC)	1.00 kV
Номинальный Ток	36.0 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.24 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	700 W
Пороговое Напряжение	5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1 kV
Непрерывный Ток Стока (Ids)	36.0 A
Время Нарастания	55 ns
Напряжение Изоляции	2.50 kV
Входная емкость (Ciss)	9200pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	700 W
Время падения	30 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	700000 mW
	Развернуть все
Длина	38.23 mm
Ширина	25.42 mm
Высота	9.6 mm
Материал	Silicon
Вес	46.0 g
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15

IXFN36N100 Описание продукта

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the IXFN36N100 power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 700000 mW. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности