IXFN180N10 - IXYS Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IXFN180N10
Производитель

IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW39696442
Категория

Труба MOS
Упаковка

SOT-227-4
Описание

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 4Pin SOT-227B
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IXFN180N10 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IXFN180N10 Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IXFN180N10
Производитель	IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW39696442
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Chassis
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	SOT-227-4
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	4 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.008 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	600 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	180 A
Время Нарастания	90 ns
Напряжение Изоляции	2.50 kV
Входная емкость (Ciss)	9100pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	600 W
Время падения	65 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	600W (Tc)
	Развернуть все
Длина	38.23 mm
Ширина	25.42 mm
Высота	9.6 mm
Материал	Silicon
Вес	42.0 g
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15

IXFN180N10 Описание продукта

The IXFN180N10 is a 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
miniBLOC with aluminium nitride isolation
Low drain-to-tab capacitance
Low inductance
Avalanche rated
Easy to mount
Space-saving s

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности