IXFH58N20 - IXYS Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IXFH58N20
Производитель

IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW35054786
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-247-3
Описание

TO-247AD N-CH 200V 58A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IXFH58N20 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IXFH58N20 Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IXFH58N20
Производитель	IXYS Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW35054786
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальное Напряжение (DC)	200 V
Номинальный Ток	58.0 A
Номинальная Мощность	300 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.04 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	300 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	200 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	58.0 A
Время Нарастания	15 ns
Входная емкость (Ciss)	4400pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	300 W
Время падения	16 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	300W (Tc)
	Развернуть все
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99

IXFH58N20 Описание продукта

The IXFH58N20 is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on) HDMOS™ process. The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
Low inductance offers easy to drive and protect
Fast intrinsic rectifier
Space-saving s
High power density

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности