IRFR5305PBF - Infineon

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IRFR5305PBF
Производитель

Infineon
Чип воркер Часть №

CW5477635
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-252-3
Описание

DPAK P-CH 55V 31A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IRFR5305PBF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IRFR5305PBF Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IRFR5305PBF
Производитель	Infineon
Чип воркер Часть №	CW5477635
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-252-3
Номинальная Мощность	89 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.065 Ω
Полярность	P-Channel
Рассеяние Мощности	110 W
Пороговое Напряжение	4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	55 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	31A
Время Нарастания	66 ns
Входная емкость (Ciss)	1200pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	110 W
Время падения	63 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	110W (Tc)
	Развернуть все
Длина	6.73 mm
Ширина	6.22 mm
Высота	2.39 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	Compliant with Exemption
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17

IRFR5305PBF Описание продукта

The IRFR5305PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Fifth generation HEXFETs from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET® power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Dynamic dv/dt rating
Fully avalanche rated
Surface mount
Advanced process technology
±20V Gate-source voltage

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности