IRFP250NPBF - Infineon

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IRFP250NPBF
Производитель

Infineon
Чип воркер Часть №

CW723126
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-247-3
Описание

TO-247AC N-CH 200V 30A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IRFP250NPBF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IRFP250NPBF Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IRFP250NPBF
Производитель	Infineon
Чип воркер Часть №	CW723126
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	214 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.075 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	214 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	2159 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	200 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	200 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	30A
Время Нарастания	43 ns
Тепловое Сопротивление	0.7℃/W (RθJC)
Входная емкость (Ciss)	2159pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	214 W
Время падения	33 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	214W (Tc)
	Развернуть все
Длина	15.9 mm
Ширина	5.3 mm
Высота	20.3 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17

IRFP250NPBF Описание продукта

The IRFP250NPBF from International Rectifier is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, ease of Paralleling, rugged, fast switching, simple drive requirements and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
Drain to source voltage (Vds) of 200V
Gate to source voltage of ±20V
On resistance Rds(on) of 75mohm at Vgs 10V
Power dissipation Pd of 214W at 25°C
Continuous drain current Id of 30A at Vgs 10V and 25°C
Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности