IRF7313PBF - Infineon

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IRF7313PBF
Производитель

Infineon
Чип воркер Часть №

CW9134382
Категория

Труба MOS
Упаковка

SOIC-8
Описание

SOIC N-CH 30V 6.5A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IRF7313PBF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IRF7313PBF Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IRF7313PBF
Производитель	Infineon
Чип воркер Часть №	CW9134382
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2 W
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.029 Ω
Полярность	Dual N-Channel
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	1 V
Входная Ёмкость	650 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	30 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	30 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	6.5A
Время Нарастания	8.9 ns
Тепловое Сопротивление	62.5℃/W (RθJA)
Входная емкость (Ciss)	650pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Время падения	17 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Температура соединения (Макс)	150 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2 W
	Развернуть все
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2014/12/17

IRF7313PBF Описание продукта

The IRF7313PBF is a dual N-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
Generation V technology
Ultra low ON-resistance
Surface-mount device
Fully avalanche rated

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности