IRF3710PBF - Infineon

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IRF3710PBF
Производитель

Infineon
Чип воркер Часть №

CW2366842
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-220-3
Описание

TO-220AB N-CH 100V 57A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

IRF3710PBF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

IRF3710PBF Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IRF3710PBF
Производитель	Infineon
Чип воркер Часть №	CW2366842
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Номинальная Мощность	200 W
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.023 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	200 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	3130 pF
Напряжение Сток-исток (Vds)	100 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	57A
Время Нарастания	58 ns
Входная емкость (Ciss)	3130pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	200 W
Время падения	47 ns
Рабочая температура (Макс)	175 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	200W (Tc)
	Развернуть все
Длина	10.67 mm
Ширина	4.69 mm
Высота	8.77 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-55℃ ~ 175℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17

IRF3710PBF Описание продукта

The IRF3710PBF is a 100V single N-channel Advanced HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced process technology
Ultra low on-resistance
Dynamic dV/dt rating
Fully avalanche rated
175°C Operating temperature

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности