FQA13N50CF - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

FQA13N50CF
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW93769270
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-3-3
Описание

Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

FQA13N50CF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

FQA13N50CF Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	FQA13N50CF
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW93769270
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-3-3
Количество Каналов	1 Channel
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	480 mΩ
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	218 W
Напряжение Сток-исток (Vds)	500 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	500 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	15.0 A
Время Нарастания	100 ns
Входная емкость (Ciss)	2055pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	218 W
Время падения	100 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	218W (Tc)
	Развернуть все
Длина	15.8 mm
Ширина	5 mm
Высота	20.1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
ECCN кодекс	EAR99

FQA13N50CF Описание продукта

Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for
switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Features
• 15 A, 500 V, RDS(on)= 480mΩ (Max.) @ VGS= 10 V,ID= 7.5 A
• Low Gate Charge (Typ.43 nC)
• Low Crss(Typ.20 pF)
• 100% Avalanche Tested
• Fast Recovery Body Diode (Typ.100 ns)

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности