FDP10N60NZ - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

FDP10N60NZ
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW90401437
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-220-3
Описание

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP10N60NZ Power MOSFET, N Channel, 10A, 600V, 0.64Ω, 10V, 3V
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

FDP10N60NZ Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

FDP10N60NZ Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	FDP10N60NZ
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW90401437
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.64 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	185 W
Пороговое Напряжение	3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	10A
Время Нарастания	50 ns
Входная емкость (Ciss)	1475pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	185 W
Время падения	50 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	185W (Tc)
	Развернуть все
Длина	10.36 mm
Ширина	4.9 mm
Высота	16.07 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15

FDP10N60NZ Описание продукта

The FDP10N60NZ is a N-channel UniFET™ II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest ON-state resistance among the planar MOSFET and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Low gate charge (23nC)
Low Crss (10pF)
100% avalanche tested
Improved dV/dt capability
ESD improved capability

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности