FDB2614 - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

FDB2614
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW11147827
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-263-3
Описание

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2614 MOSFET Transistor, N Channel, 62A, 200V, 22.9mohm, 10V, 4V
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

FDB2614 Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

FDB2614 Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	FDB2614
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW11147827
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	2 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальное Напряжение (DC)	200 V
Номинальный Ток	62.0 A
Количество Каналов	1 Channel
Количество Стежков	2 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.0229 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	260 W
Пороговое Напряжение	4 V
Входная Ёмкость	7.23 nF
Заряд Затвора	99.0 nC
Напряжение Сток-исток (Vds)	200 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	200 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	62.0 A
Время Нарастания	284 ns
Входная емкость (Ciss)	7230pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	260 W
Время падения	162 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	260W (Tc)
	Развернуть все
Длина	10.67 mm
Ширина	11.33 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99

FDB2614 Описание продукта

The FDB2614 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.
High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Low gate charge
High power and current handing capability

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности