FCPF400N80Z - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

FCPF400N80Z
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW13478268
Категория

Высоковольтное MOS
Упаковка

TO-220F-3
Описание

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF400N80Z Power MOSFET, N Channel, 11A, 800V, 0.34Ω, 10V, 4.5V
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

FCPF400N80Z Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

FCPF400N80Z Высоковольтное MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	FCPF400N80Z
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW13478268
Категория	Высоковольтное MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220F-3
Номинальная Мощность	35.7 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.34 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	35.7 W
Пороговое Напряжение	4.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	800 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	14A
Время Нарастания	12 ns
Входная емкость (Ciss)	2350pF @100V(Vds)
Время падения	2.6 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	35.7W (Tc)
	Развернуть все
Длина	10.36 mm
Ширина	4.9 mm
Высота	16.07 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Rail, Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
Лицензия HK STC	NLR

FCPF400N80Z Описание продукта

The FCPF400N80Z is a N-channel SuperFET® II high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Ultra low gate charge (Qg = 43nC)
Low effective output capacitance (Coss.eff = 138pF)
100% avalanche tested

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности