C2M0080120D - Wolfspeed

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

C2M0080120D
Производитель

Wolfspeed
Чип воркер Часть №

CW11910804
Категория

Высоковольтное MOS
Упаковка

TO-247-3
Описание

TO-247 N-CH 1200V 36A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

C2M0080120D Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

C2M0080120D Высоковольтное MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	C2M0080120D
Производитель	Wolfspeed
Чип воркер Часть №	CW11910804
Категория	Высоковольтное MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-247-3
Номинальная Мощность	208 W
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.08 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	208 W
Пороговое Напряжение	3.2 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	1.2 kV
Непрерывный Ток Стока (Ids)	36A
Входная емкость (Ciss)	950pF @1000V(Vds)
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	208 W
	Развернуть все
Длина	16.13 mm
Ширина	5.21 mm
Высота	21.1 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус

C2M0080120D Описание продукта

The C2M0080120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.
Drain to source voltage (Vds) of 1.2kV
Continuous drain current of 36A
Power dissipation of 192W
Operating junction temperature of -55°C to 150°C
Low on state resistance of 80mohm at Vgs of 20V

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности