BUL45D2G - ON Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

BUL45D2G
Производитель

ON Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW10310700
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

TO-220-3
Описание

TO-220AB NPN 400V 5A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

BUL45D2G Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

BUL45D2G Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	BUL45D2G
Производитель	ON Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW10310700
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220-3
Частота	12 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	700 V
Номинальный Ток	5.00 A
Номинальная Мощность	75 W
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	75 W
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	13 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	400 V
Непрерывный ток коллектора	5A
hFE Min	10 @2A, 1V
hFE Max	34
Максимальная входная мощность	75 W
Усиление постоянного тока (hFE)	32
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	75000 mW
	Развернуть все
Длина	10.53 mm
Ширина	4.83 mm
Высота	15.75 mm
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2016/06/20
ECCN кодекс	EAR99

BUL45D2G Описание продукта

Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN BUL45D2G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 12 V. Its maximum power dissipation is 75000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 12 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности