BSP16T1G - ON Semiconductor

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

BSP16T1G
Производитель

ON Semiconductor
Чип воркер Часть №

CW16017136
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

TO-261-4
Описание

SOT-223 PNP 300V 0.1A
даташит

Datasheet

Способ оплаты и доставка

BSP16T1G Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

BSP16T1G Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	BSP16T1G
Производитель	ON Semiconductor
Чип воркер Часть №	CW16017136
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	4 Pin
Корпус/Пакет	TO-261-4
Частота	15 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	-300 V
Номинальный Ток	-1.00 A
Количество Стежков	4 Position
Полярность	PNP
Рассеяние Мощности	1.5 W
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	15 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	300 V
Непрерывный ток коллектора	0.1A
hFE Min	30 @50mA, 10V
Максимальная входная мощность	1.5 W
Усиление постоянного тока (hFE)	30
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	1500 mW
	Развернуть все
Длина	6.7 mm
Ширина	3.7 mm
Высота	1.57 mm
Материал	Silicon
Рабочая Температура	-65℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2016/06/20
ECCN кодекс	EAR99

BSP16T1G Описание продукта

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile PNP BSP16T1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 300 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности