Toshiba V(cbo): 85V; V(ces): 85V; V(ceo): 55V; V(ebo): 4V; 20A; 300W; silicon NPN epitaxial planar transistor. For 2-30MHz SSB linear power amplifier applications
1093.7

Популярные запчасти для поиска

SN:H0.96053LO29995V215Q0QC0S23
Подписка на новости о компонентах Чип воркер. Будьте в курсе последних предложений
Подписаться
Свяжитесь с нами онлайн